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1500V 3A MOSFET módulos de semiconductores discretos de canal N discretos de potencia sólida DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0

Name: 1500V 3A MOSFET módulos de semiconductores discretos de canal N discretos de potencia sólida DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0
Brand: 1500V 3A MOSFET módulos de semiconductores discretos de canal N discretos de potencia sólida DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0
SKU: SPS03NM15T3PH
Rating: 4.6 (105 reviews)

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Número de modelo: SPS03NM15T3PH

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Configuración:	No casado	Corriente continua del dren (identificación):	30A
voltaje de la Dren-fuente (Vdss):	Las demás:	Voltaje de la Puerta-fuente (VGS):	+/- 20 V
Capacitancia entrada (CISS):	Se trata de una	Estilo de montaje:	A través del agujero
Número de canales:	No casado	Rango de temperatura de funcionamiento:	-55°C a +175°C
Capacidad de salida (coste):	400pF	Tipo de paquete:	TO-220AB
Disipación de poder (paladio):	75W	Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:	8.5 mOhm @ 30A, 10V
Capacidad de transferencia inversa (Crss):	300pF	Polaridad del transistor:	N-canal
Nombre del producto:	Módulos de semiconductores discretos, energía semiconductores discretos, industrias de semiconductor

Configuración:	No casado
Corriente continua del dren (identificación):	30A
voltaje de la Dren-fuente (Vdss):	Las demás:
Voltaje de la Puerta-fuente (VGS):	+/- 20 V
Capacitancia entrada (CISS):	Se trata de una
Estilo de montaje:	A través del agujero
Número de canales:	No casado
Rango de temperatura de funcionamiento:	-55°C a +175°C
Capacidad de salida (coste):	400pF
Tipo de paquete:	TO-220AB
Disipación de poder (paladio):	75W
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:	8.5 mOhm @ 30A, 10V
Capacidad de transferencia inversa (Crss):	300pF
Polaridad del transistor:	N-canal
Nombre del producto:	Módulos de semiconductores discretos, energía semiconductores discretos, industrias de semiconductor

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La energía de los motores de alta tensión es igual a la de los motores de alta tensión de los motores de alta tensión.0

Las demás: 3A N-canal MOS Discreto

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Características:

Cambiar rápidamente
Baja resistencia de ON
Baja carga de la puerta Minimizar la pérdida de conmutación
Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Típico Aplicaciones:

Adaptador
Cargador

Potencia de espera SMPS

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Este es un transistor discreto de efecto de campo de óxido metálico semiconductor de canal N (MOSFET) con una tensión nominal de 1500V y una corriente nominal de 3A.Los MOSFET de canal N son dispositivos semiconductores comunes utilizados en varias aplicaciones electrónicasEl 1500V indica el voltaje máximo que el dispositivo puede soportar, y el 3A representa la corriente máxima que puede manejar.En aplicaciones específicas, se debe considerar un circuito de accionamiento adecuado y una disipación de calor para garantizar la fiabilidad y el rendimiento del MOSFET.

Circuito Diagrama el título

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Paquete las líneas generales

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