La energía de los motores de alta tensión es igual a la de los motores de alta tensión, pero es inferior a la de los motores de alta tensión.0

MOS discreto de 1500 V 3A en el canal N

Las demás: 3A MOSFET 

Características:

• Cambiar rápidamente
• Baja resistencia de ON
• Baja carga de la puerta Minimizar la pérdida de conmutación
• Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Típico Aplicaciones:

• Adaptador
• Cargador
• Potencia de espera SMPS

Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia

RDSon (P.U.) = f (Tvj) RDSon (f (IDS) Tvj = 25°C

El valor de las emisiones de dióxido de carbono en el agua de la fuente de alimentación es el valor de las emisiones de dióxido de carbono en el agua de la fuente.

MOSFET

Característica de carga hacia adelante del MOSFET

El número de unidades de la unidad de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero de las unidades de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

VDS = 750V, IDS = 3A, Tvj = 25°C

MOSFET

Característica de capacidad MOSFET Disposición máxima de potencia

C=f (VDS) PD=f (TC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

Área de operación segura de corriente de drenaje máxima con desviación hacia adelante (FBSOA)

ID=f ((TC)

MOSFET

MOSFET de impedancia térmica transitoria

Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Este es un transistor discreto de efecto de campo de óxido metálico semiconductor de canal N (MOSFET) con una tensión nominal de 1500V y una corriente nominal de 3A.Los MOSFET de canal N son dispositivos semiconductores comúnmente utilizados en varias aplicaciones electrónicasEl 1500V indica el voltaje máximo que el dispositivo puede manejar, mientras que el 3A representa la corriente máxima que puede acomodar.En aplicaciones específicas, se debe considerar un circuito de accionamiento adecuado y una disipación de calor para garantizar la fiabilidad y el rendimiento del MOSFET.