Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
productos
productos
En casa > productos > Modulos IGBT de 34 mm > Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

Detalles del producto

Número de modelo: SPS50B12G3H6

Condiciones de pago y envío

Obtenga el mejor precio
Resaltar:

Modulo de puente medio IGBT Mosfet

,

Modulo de puente medio de Mosfet 1200V

,

Modulo de puente medio de Mosfet 50A

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

La potencia de la unidad de energía sólida DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

 

Las demás: 50A IGBT La mitad Puente Módulo

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 0

 

Características:

D Tecnología de frenado de campo de 1200 V

□ Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave

□ VCE (sat)con un coeficiente de temperatura positivo

□ Bajas pérdidas por cambio

 

Típico Aplicaciones: 

 

□ Soldadura

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 1

Paquete 

Punto de trabajo El símbolo Condiciones Los valores Unidad

Tensión de ensayo de aislamiento

El VISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

4.0

el kV

Material de la placa base del módulo

   

Cu

 

Aislamiento interno

 

(clase 1, CEI 61140)

Aislamiento básico (clase 1, CEI 61140)

- ¿ Qué?2¿ Qué?3

 

Distancia de desplazamiento

Es muy espeluznante. terminal para el disipador de calor 17.0

En el caso de los

Es muy espeluznante. de terminal a terminal 20.0

Acceso

DClear terminal para el disipador de calor 17.0

En el caso de los

- ¿ Qué? de terminal a terminal 9.5

Indice de seguimiento comparativo

CTI  

Más de 200

 
   
Punto de trabajo El símbolo Condiciones Los valores Unidad
- ¿Qué es eso? Es un tipo. - ¿Qué quieres decir?

Módulo de inductancia extraviada

LsCE    

 

20

 

nH

Resistencia al plomo del módulo, terminales - chip

RCC+EE   T.C. Las= 25°C  

 

0.65

 

Temperatura de almacenamiento

Tstg  

 

-40 años.

 

 

125

°C

Torque de montaje para el montaje de módulos

M6  

 

3.0

 

 

5.0

Nm

Torque de conexión del terminal

M5  

 

2.5

 

 

5.0

Nm

Peso

G.    

 

150

 

G

 

 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 2

IGBT

El número máximo Nombrado Los valores

Punto de trabajo El símbolo Condiciones Los valores Unidad

Voltado del colector emisor

VCES   T.Vj= 25°C

1200

 

V.

Tensión máxima del emisor de puerta

VGES  

± 20

 

V.

Voltado transitorio del emisor de puertas

VGES tp≤ 10 μs, D=0.01

± 30

 

V.

Corriente continua del colector de corriente continua

Yo...C. Las   T.C. Las= 25°C 80

 

A. No

T.C. Las= 100°C 50

Corriente pulsada del colector,tp limitada por Tjmax

Intensidad de pulso  

100

 

A. No

Disipación de energía

Ptot  

326

 

No

 

 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 3

Características Los valores

Punto de trabajo El símbolo Condiciones Los valores Unidad
- ¿Qué es eso? Es un tipo. - ¿Qué quieres decir?

Voltado de saturación del colector-emitidor

VCE (sat) Yo...C. LasEl valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:GEEl valor de las emisiones de CO2 T.Vj= 25°C   2.07 2.55

V.

T.Vj= 125°C   2.49  
T.Vj= 150°C   2.61  

Válvula de entrada

VGE (h) V.Sección 2= VGEYo...C. LasSe aplican las siguientes condiciones:

5.2

5.7

6.3

V.

Corriente de corte entre el colector y el emisor

El CIEM V.Sección 2El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:GEEl valor de las emisiones de CO2 T.Vj= 25°C     100 MPa
T.Vj= 150°C     5 - ¿Qué es?

Corriente de fuga del emisor de la puerta

El IGES V.Sección 2= 0V,VGEEl valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbonoVj= 25°C - 200 dólares.   200 nA

Cargo de la puerta

- ¿ Qué?G. V.Sección 2= 600 V, IC. Las= 50A, VGEEl valor de las emisiones de CO2   0.25   El valor de las emisiones

Capacidad de entrada

- ¿Qué quieres? V.Sección 2El valor de las emisiones de CO2GEEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.   3.0  

nF

Capacidad de transferencia inversa

El Cres   0.12  

Resistencia interna de la puerta

RGint T.Vj= 25°C   2.8   Oh

Tiempo de retraso de encendido, carga inductiva

En línea. V.CC= 600 V,IC. LasSe aplicará el procedimiento siguiente:G.=15Ω, VGEEl valor de las emisiones de CO2 T.Vj= 25°C   52   n y
T.Vj= 125°C   49   n y
T.Vj= 150°C   49   n y

Tiempo de subida, carga inductiva

tr y T.Vj= 25°C   27   n y
T.Vj= 125°C   30   n y
T.Vj= 150°C   31   n y

Tiempo de retraso de apagado, carga inductiva

Td (apagado) V.CC= 600 V,IC. LasSe aplicará el procedimiento siguiente:G.=15Ω, VGEEl valor de las emisiones de CO2 T.Vj= 25°C   192   n y
T.Vj= 125°C   230   n y
T.Vj= 150°C   240   n y

Tiempo de caída, carga inductiva

tf T.Vj= 25°C   152   n y
T.Vj= 125°C   202   n y
T.Vj= 150°C   207   n y

Pérdida de energía de encendido por pulso

Eón V.CC= 600 V,IC. LasSe aplicará el procedimiento siguiente:G.=15Ω, VGEEl valor de las emisiones de CO2 T.Vj= 25°C   3.3   MJ
T.Vj= 125°C   5.2   MJ
T.Vj= 150°C   5.9   MJ

Apague pérdida de energía por pulso

¿Qué es eso? T.Vj= 25°C   2.3   MJ
T.Vj= 125°C   3.0   MJ
T.Vj= 150°C   3.2   MJ

Datos de la SC

CSI V.GE≤ 15 V, VCCEl valor de las emisiones de CO2 tp≤10 μs TVj= 150°C    

260

A. No

Resistencia térmica IGBT, estuche de unión

RthJC       0.46 K / W

Temperatura de funcionamiento

TJop   -40 años.   150 °C

 

 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 4

Diodo

El número máximo Nombrado Los valores 

Punto de trabajo El símbolo Condiciones Los valores Unidad

Voltado inverso repetitivo

El VRRM   T.Vj= 25°C

1200

V.

Corriente continua de corriente continua hacia adelante

Yo...F: el precio  

50

A. No

Corriente pulsada de diodo,tp limitada por TJmáx

IFpulso  

100

Yo...2Valor de t

Yo...2t  

490

A. No2el

 

Características Los valores/El valor de la característica

Punto de trabajo El símbolo Condiciones Los valores Unidad
- ¿Qué es eso? Es un tipo. - ¿Qué quieres decir?

Válvula de carga

V.F: el precio Yo...F: el precio= 50A, VGEEl valor de las emisiones de CO2 T.Vj= 25°C   2.11 2.60

V.

T.Vj= 125°C   1.85  
T.Vj= 150°C   1.75  

Corriente de recuperación inversa máxima

El IRRM

Yo...F: el precioEl valor de las emisiones

ElF: el precio/dt=-1300A/μs (T)Vj= 150°C) VR= 600 V,

V.GESe trata de un sistema de control de energía.

T.Vj= 25°C   59  

A. No

T.Vj= 125°C 83
T.Vj= 150°C 90

Cargo por recuperación inversa

Las condiciones de los productos T.Vj= 25°C   2.0  

El valor de las emisiones

T.Vj= 125°C 6.5
T.Vj= 150°C 8.9

Pérdida de energía de recuperación inversa por pulso

- ¿ Qué? T.Vj= 25°C   0.3  

MJ

T.Vj= 125°C 1.7
T.Vj= 150°C 2.7

Resistencia térmica del diodo, estuche de unión

RthJCD      

0.95

K / W

Temperatura de funcionamiento

TJop  

-40 años.

 

150

°C

 

 

 

 

Producción Característica (típica) Producción característico (típico)

Yo...C. Las= f (V)Sección 2) IC. Las= f (V)Sección 2) TVj= 150°C

 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 5

 

 

                                                                                                                       IGBT

Transferencia característico (típico) Cambiar pérdidas IGBT(típico)

Yo...C. Las= f (V)GE) E = f (RG.)

V.Sección 2= 20 V VGE= ± 15 V, IC. LasEl valor de las emisiones de CO2Sección 2El valor de las emisiones de CO2

                                                                       

                                                                                                                 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 6

 

 

 

IGBT                                                                                                             RBSOA

Cambiar pérdidas IGBT(típico) Al revés el sesgo seguro funcionamiento Área (RBSOA)

E = f (I)C. Las) IC. Las=f (V)Sección 2)

V.GESe aplicará el método siguiente:G.= 15Ω, VSección 2El valor de las emisiones de CO2GESe aplicará el método siguiente:- ¿ Por qué?= 15Ω, TVj= 150°C

 

 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 7

 

 

Típico capacidad como a) el Función de las colector emisor tensión Carga de puerta (típica)

C = f (V)Sección 2) VGE= f (Q)G.)

f = 100 kHz, VGE= 0V IC. LasEl valor de las emisiones de CO2Sección 2El valor de las emisiones de CO2

 

 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 8

 

 

 

IGBT

IGBT transitorio térmico impedancia como a) el Función de pulso ancho hacia adelante característico de las Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) IF: el precio= f (V)F: el precio)

 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 9

 

Pérdidas de conmutación Diodo (típico)Las pérdidas de diodo (típico)

¿ Qué es?Recesión= f (R)G.) ERecesión= f (I)F: el precio)

Yo...F: el precioEl valor de las emisiones de CO2Sección 2El valor de la corriente eléctricaG.= 15Ω, VSección 2El valor de las emisiones de CO2

 

 

 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 10

 

 

 

Impedancia térmica transitoria del diodo en función del ancho del pulso

   

Zth(j-c) = f (t)

               Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 11

 

 

Un módulo de medio puente IGBT de 1200V 50A es un dispositivo de electrónica de potencia con dos transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) configurados en una configuración de medio puente.Está diseñado para aplicaciones que necesitan un control bidireccional de la corriente, con un voltaje máximo de 1200 voltios y una capacidad de corriente de 50 amperes.y aplicaciones similares donde el control preciso de la tensión y la corriente es crucialLos circuitos de refrigeración y de accionamiento de puertas adecuados son esenciales para un rendimiento fiable.

 

Circuito Diagrama el título

 

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 12

 

 

Paquete las líneas generales

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 13