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Modulos IGBT de automóviles personalizados de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Name: Modulos IGBT de automóviles personalizados de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
Brand: Modulos IGBT de automóviles personalizados de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
SKU: SPS100B17G3R8
Rating: 4.9 (121 reviews)

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Número de modelo: SPS100B17G3R8

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Configuración:	Inversor de 3 fases	Actual - colector (Ic) (máximo):	Las demás:
Actual - atajo del colector (máximo):	1 mA	Carga de la puerta:	100oC
Tipo de entrada:	Estándar	Tipo de montaje:	Montura del chasis
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 150 °C	Envase / estuche:	Módulo de 34 mm
Tipo de paquete:	Módulo	Potencia - máximo:	1.2KW
Tiempo de recuperación inverso (trr):	100ns	Energía que cambia:	1.2 mJ
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):	Las demás:	Voltado - saturación del colector emisor (máximo):	1.8V

Configuración:	Inversor de 3 fases
Actual - colector (Ic) (máximo):	Las demás:
Actual - atajo del colector (máximo):	1 mA
Carga de la puerta:	100oC
Tipo de entrada:	Estándar
Tipo de montaje:	Montura del chasis
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:	Módulo de 34 mm
Tipo de paquete:	Módulo
Potencia - máximo:	1.2KW
Tiempo de recuperación inverso (trr):	100ns
Energía que cambia:	1.2 mJ
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):	Las demás:
Voltado - saturación del colector emisor (máximo):	1.8V

Modulos IGBT de automóviles personalizados de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

La energía de la unidad es de 100 B17 G3 R8-S04010015 V1.0

Las demás: Las demás: IGBT La mitad Puente Módulo

Las demás: Las demás: IGBT

Modulos IGBT de automóviles personalizados de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 0

Características:

D Tecnología de frenado de campo de 1700 V

□ Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave

□ V_{CE (sat)}con un coeficiente de temperatura positivo

□ Bajas pérdidas por cambio

Típico Aplicaciones:

□ Motores y servos

□ Conversores de alta potencia

□ UPS

□ energía fotovoltaica

Paquete

Punto de trabajo	El símbolo	Condiciones		Los valores			Unidad
Tensión de ensayo de aislamiento	El VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			el kV
Material de la placa base del módulo				Cu
Aislamiento interno		(clase 1, CEI 61140) Aislamiento básico (clase 1, CEI 61140)		- ¿ Qué?₂¿ Qué?₃
Distancia de desplazamiento	Es muy espeluznante.	terminal para el disipador de calor		17.0			En el caso de los
	Es muy espeluznante.	de terminal a terminal		20.0
Acceso	DClear	terminal para el disipador de calor		17.0			En el caso de los
	DClear	de terminal a terminal		9.5
Indice de seguimiento comparativo	CTI			Más de 200

Punto de trabajo	El símbolo	Condiciones		Los valores			Unidad
				- ¿Qué es eso?	Es un tipo.	- ¿Qué quieres decir?
Módulo de inductancia extraviada	LsCE				20		nH
Resistencia al plomo del módulo, terminales - chip	RCC+EE		T._{C. Las}= 25°C		0.65		mΩ
Temperatura de almacenamiento	Tstg			-40 años.		125	°C
Torque de montaje para el montaje de módulos	M6			3.0		5.0	Nm
Torque de conexión del terminal	M5			2.5		5.0	Nm
Peso	G.				160		G

IGBT

El número máximo Nombrado Los valores

Punto de trabajo	El símbolo	Condiciones		Los valores	Unidad
Voltado del colector emisor	VCES		T._Vj= 25°C	1700	V.
Tensión máxima del emisor de puerta	VGES			± 20	V.
Voltado transitorio del emisor de puertas	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V.
Corriente continua del colector de corriente continua	Yo..._{C. Las}		T._{C. Las}= 25°C	180	A. No
Corriente continua del colector de corriente continua	Yo..._{C. Las}		T._{C. Las}= 100°C	100	A. No
Corriente pulsada del colector,tp limitada por T_jmax	Intensidad de pulso			200	A. No
Disipación de energía	Ptot			535	No

Características Los valores

Punto de trabajo	El símbolo	Condiciones		Los valores			Unidad
Punto de trabajo	El símbolo	Condiciones		- ¿Qué es eso?	Es un tipo.	- ¿Qué quieres decir?	Unidad
Voltado de saturación del colector-emitidor	VCE (sat)	Yo..._{C. Las}El valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:_GEEl valor de las emisiones de CO2	T._Vj= 25°C		1.65	1.95	V.
			T._Vj= 125°C		1.90
			T._Vj= 150°C		1.92
Válvula de entrada	VGE (h)	V._{Sección 2}= V_GEYo..._{C. Las}El valor de las emisiones de CO2		5.0	5.8	6.5	V.
Corriente de corte entre el colector y el emisor	El CIEM	V._{Sección 2}El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:_GEEl valor de las emisiones de CO2	T._Vj= 25°C			100	MPa
Corriente de corte entre el colector y el emisor	El CIEM		T._Vj= 150°C			5	- ¿Qué es?
Corriente de fuga del emisor de la puerta	El IGES	V._{Sección 2}= 0V,V_GEEl valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono_Vj= 25°C		- 200 dólares.		200	nA
Cargo de la puerta	- ¿ Qué?_G.	V._{Sección 2}= 900 V, I_{C. Las}= 75A, V_GEEl valor de las emisiones de CO2			0.6		El valor de las emisiones
Capacidad de entrada	- ¿Qué quieres?	V._{Sección 2}El valor de las emisiones de CO2_GEEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.			9.00		nF
Capacidad de salida	Coes				0.58
Capacidad de transferencia inversa	El Cres				0.14
Resistencia interna de la puerta	RGint	T._Vj= 25°C			9		Oh
Tiempo de retraso de encendido, carga inductiva	En línea.	V._CC= 900V,I_{C. Las}Se aplicará el procedimiento siguiente:_G.= 5,1Ω, V_GEEl valor de las emisiones de CO2	T._Vj= 25°C		194		n y
			T._Vj= 125°C		218		n y
			T._Vj= 150°C		222		n y
Tiempo de subida, carga inductiva	t_{r y}		T._Vj= 25°C		48		n y
			T._Vj= 125°C		60		n y
			T._Vj= 150°C		66		n y
Tiempo de retraso de apagado, carga inductiva	Td (apagado)	V._CC= 900V,I_{C. Las}Se aplicará el procedimiento siguiente:_G.= 5,1Ω, V_GEEl valor de las emisiones de CO2	T._Vj= 25°C		322		n y
			T._Vj= 125°C		494		n y
			T._Vj= 150°C		518		n y
Tiempo de caída, carga inductiva	t_f		T._Vj= 25°C		500		n y
			T._Vj= 125°C		676		n y
			T._Vj= 150°C		740		n y
Pérdida de energía de encendido por pulso	Eón	V._CC= 900V,I_{C. Las}Se aplicará el procedimiento siguiente:_G.= 5,1Ω, V_GEEl valor de las emisiones de CO2	T._Vj= 25°C		20.1		MJ
			T._Vj= 125°C		33.4		MJ
			T._Vj= 150°C		36.8		MJ
Apague pérdida de energía por pulso	¿Qué es eso?		T._Vj= 25°C		20.7		MJ
			T._Vj= 125°C		30.6		MJ
			T._Vj= 150°C		32.8		MJ
Datos de la SC	CSI	V._GE≤ 15 V, V_CCEl valor de las emisiones de CO2	tp≤10 μs T_Vj= 150°C			360	A. No
Resistencia térmica IGBT, estuche de unión	RthJC					0.28	K / W
Temperatura de funcionamiento	TJop			-40 años.		175	°C

Diodo

El número máximo Nombrado Los valores

Punto de trabajo	El símbolo	Condiciones		Los valores	Unidad
Voltado inverso repetitivo	El VRRM		T._Vj= 25°C	1700	V.
Corriente continua de corriente continua hacia adelante	Yo..._{F: el precio}		T._{C. Las}= 25°C	140	A. No
Corriente continua de corriente continua hacia adelante	Yo..._{F: el precio}		T._{C. Las}= 100°C	100
Corriente pulsada de diodo,tp limitada por T_Jmáx	IFpulso			200

Características Los valores

Punto de trabajo	El símbolo	Condiciones		Los valores			Unidad
				- ¿Qué es eso?	Es un tipo.	- ¿Qué quieres decir?
Válvula de carga	V._{F: el precio}	Yo..._{F: el precio}= 100A, V_GEEl valor de las emisiones de CO2	T._Vj= 25°C		2.00	2.40	V.
			T._Vj= 125°C		2.15
			T._Vj= 150°C		2.20
Tiempo de recuperación inverso	trr	Yo..._{F: el precio}El valor de las emisiones El_{F: el precio}/dt=-2100A/μs (T)_Vj= 150°C) V_R= 900 V, V._GESe trata de un sistema de control de energía.	T._Vj= 25°C		120		n y
			T._Vj= 125°C		180
			T._Vj= 150°C		200
Corriente de recuperación inversa máxima	El IRRM		T._Vj= 25°C		193		A. No
			T._Vj= 125°C		216
			T._Vj= 150°C		218
Cargo por recuperación inversa	Las condiciones de los productos		T._Vj= 25°C		20		El valor de las emisiones
			T._Vj= 125°C		40
			T._Vj= 150°C		47
Pérdida de energía de recuperación inversa por pulso	- ¿ Qué?		T._Vj= 25°C		4.9		MJ
			T._Vj= 125°C		21.2
			T._Vj= 150°C		24.1
Resistencia térmica del diodo, estuche de unión	RthJCD					0.40	K / W
Temperatura de funcionamiento	TJop			-40 años.		175	°C

Producción Característica (típica) Producción característico (típico)

Yo..._{C. Las}= f (V)_{Sección 2}) I_{C. Las}= f (V)_{Sección 2}) T_Vj= 150°C

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Transferencia Característica (típica) Cambio pérdidas IGBT(típico)

Yo..._{C. Las}= f (V)_GE) E = f (R_G.)

V._{Sección 2}= 20 V V_GE= ± 15 V, I_{C. Las}El valor de las emisiones de CO2_{Sección 2}= 900V

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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.

Cambiar pérdidas IGBT(típico) Al revés el sesgo seguro funcionamiento Área (RBSOA)

E = f (I)_{C. Las}) I_{C. Las}=f (V)_{Sección 2})

V._GESe aplicará el método siguiente:_G.= 5.1Ω, V_{Sección 2}El valor de las emisiones de CO2_GESe aplicará el método siguiente:_{- ¿ Por qué?}= 5.1Ω, T_Vj= 150°C

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Típico capacidad como a) el Función de las colector emisor tensión Carga de puerta (típica)

C = f (V)_{Sección 2}) V_GE= f (Q)_G.)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_{C. Las}El valor de las emisiones de CO2_{Sección 2}= 900V

IGBT

IGBT transitorio térmico impedancia como a) el Función de pulso ancho hacia adelante característico de las Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) I_{F: el precio}= f (V)_{F: el precio})

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Pérdidas de conmutación Diodo (típico)Las pérdidas de diodo (típico)

¿ Qué es?_Recesión= f (R)_G.) E_Recesión= f (I)_{F: el precio})

Yo..._{F: el precio}El valor de las emisiones de CO2_{Sección 2}= 900V R_G.= 5.1Ω, V_{Sección 2}= 900V

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Diodo transitorio térmico impedancia como a) el Función de las pulso ancho

Zth(j-c) = f (t)

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El "Módulo de puente medio IGBT de 1700 V 100 A" integra dos IGBT en una configuración de puente medio, adecuado para aplicaciones que requieren una potencia moderada.Proporciona un control preciso sobre el voltaje (1700V) y la corriente (100A)Las especificaciones detalladas se pueden encontrar en la ficha de datos del fabricante.

Circuito Diagrama el título

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Paquete las líneas generales

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Dimensiones en mm

En el caso de los

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El número máximo Nombrado Los valores

El número máximo Nombrado Los valores

Modulo del helicóptero de frenos,

Módulos automotrices de IGBT,

Módulo del helicóptero IGBT

El módulo IGBT de medio puente de 75A 1200V tiene una potencia sólida de DS-SPS150B17G3-S04010005

Modulo de energía de medio puente IGBT 1200V 75A de potencia sólida DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

Modulo de puente medio de IGBT Mosfet 1200V 50A de potencia sólida-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

Modulo IGBT de puente de 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019