1200V 300A SiC MOSFET módulo de medio puente semiconductor DS-SPS300MB12G6S-S04310004
El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
Las demás: Las demás: Seco MOSFET La mitad Puente Módulo
Características:
- Aplicación de conmutación de alta frecuencia
- Cero corriente de recuperación inversa del diodo
- Corriente de cola de apagado cero del MOSFET
- Pérdida muy baja
- Fácil paralelo
Típico Aplicaciones:
- Calentamiento por inducción
- Inversores solares y eólicos
- Conversores de corriente continua
- Cargadores de baterías
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MOSFET
El número máximo Valores de las acciones/ Máxima cantidad值
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|
Punto de trabajo
|
El símbolo
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Condiciones
|
Valor
|
Unidades
|
|
漏极-源极 tensión eléctrica
Voltado de la fuente de drenaje
|
V.El DSS
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T.Vj= 25°C
|
1200
|
V.
|
|
flujo eléctrico de escape continuo
Continúa.el D.C. corriente de drenaje
|
Yo...D
|
V.GSEl valor de las emisiones de dióxido de carbonoC. Las= 25°C, TVjmax= 175°C
V.GSEl valor de las emisiones de dióxido de carbonoC. Las= 85°C, TVjmax= 175°C
|
400
300
|
A. No
|
|
脉冲漏极 corriente eléctrica
Desagüe pulsado corriente
|
Yo...D pulso
|
Ancho del pulso tplimitado Por elT.Vjmax
|
1200
|
A. No
|
|
pérdida total de potencia
En total potencia DispersiónEl
|
Pel
|
T.C. Las= 25°C,T.Vjmax= 175°C
|
1153
|
No
|
|
El valor máximo de la tensión eléctrica
Puerta máxima- tensión de la fuente
|
V.El GSS
|
|
-10/25
|
V.
|
|
PersonajeLos valores de/ El valor de la característica
|
|
Punto de trabajo
|
El símbolo
|
Condiciones
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- ¿Qué es eso? Es un tipo. - ¿Qué quieres decir?
|
Unidades
|
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漏极-源极通态 resistencia eléctrica
Fuente de drenaje encendida la resistencia
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RD.S.( En el)
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Yo...D= 300A,VGSEl valor de las emisiones
|
T.Vj= 25°C
T.Vj= 125°C
T.Vj= 150°C
|
4.0
5.4 6.0
|
5.6
|
mΩ
mΩ
mΩ
|
|
El valor de la tensión eléctrica
Umbral de entradatensión
|
V.Se trata de la
|
Yo...C. LasEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2.Sección 2= VGE, TVj= 25°C
Yo...C. LasEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2.Sección 2= VGE, TVj= 150°C
|
1.9
|
2.4
1.6
|
4.0
|
V.
|
|
跨导
Transconductividad
|
GFS
|
V.D.S. = 20 V, Yo...D.S. = 300 A, T.Vj= 25°C
V.D.S. = 20 V, Yo...D.S. = 300 A, TVj= 150°C
|
211
186
|
El S
|
|
- ¿Cuál es el problema?
Puerta Carga
|
- ¿ Qué?G.
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V.GE=-5V... +20V
|
1170
|
nC
|
|
内部 极电阻 (resistencia eléctrica interna)
Puerta interna de las siguientes:
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RLa corteza
|
T.Vj= 25°C
|
2.0
|
Oh
|
|
Capacidad de entrada
Límites de entradaAcitación
|
C. LasLas
|
F = 1MHz,TVj= 25°C, VD.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:El aire acondicionado= 25MV, VGEEl valor de las emisiones de CO2
|
25.2
|
nF
|
|
Capacidad de salida
Producción capacidad
|
C. Las- ¿ Qué?
|
F = 1MHz,TVj= 25°C, VD.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:El aire acondicionado= 25MV, VGEEl valor de las emisiones de CO2
|
1500
|
pF
|
|
Capacidad de transmisión inversa
Tránsito hacia atráscapacidad de la esfera
|
C. LasRes
|
F = 1MHz,TVj= 25°C, VD.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:El aire acondicionado= 25MV, VGEEl valor de las emisiones de CO2
|
96
|
pF
|
|
零 电压 漏极 电流 零 电压 漏极 电流 El flujo eléctrico
Puerta cero vedad avanzada Desagüe corriente
|
Yo...El DSS
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V.D.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:GS=0V, TVj= 25°C
|
300
|
MA. No
|
|
- ¿Qué quieres?-源极 escape de corriente
Fuente de la puerta elcorriente de akage
|
Yo...El GSS
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V.D.S.=0V, V.GSEl valor de las emisiones de dióxido de carbonoVj= 25°C
|
100
|
nA
|
|
开通 延迟时间 el tiempo de apertura( carga eléctrica)
Se enciende tiempo de demora, inductivo cargas
|
td( En el)
|
T.Vj= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj= 150°C
|
76
66
66
|
n y
n y
n y
|
|
El tiempo aumenta.( carga eléctrica)
Es hora de levantarse. inductivo cargas
|
tr y
|
T.Vj= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj= 150°C
|
62
56
56
|
n y
n y
n y
|
|
关断延迟时间 (cuidado con el retraso)( carga eléctrica)
Desvío dtiempo de ejecución, inductivo cargas
|
td(No)
|
Yo...DEl valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:D.S.El valor de las emisiones de CO2
V.GSEl valor de la corriente es igual a 5/20V.
R¿ Qué pasa?= 2,5Ω
|
T.Vj= 25°C
T.Vj= 125°C
T.Vj= 150°C
|
308
342
342
|
n y
n y
n y
|
|
Baja el tiempo.( carga eléctrica)
Tiempo de otoño, inductivo cargas
|
tf
|
R- ¿ Por qué?= 2,5Ω
¿ Qué? = 56 nH
Inductivo Load,
|
T.Vj= 25°C
T.Vj= 125°C
T.Vj= 150°C
|
94
92
92
|
n y
n y
n y
|
|
开通 pérdida de energía(Cada impulso)
Se enciende energía pérdida por el pu- ¿ Qué?
|
¿ Qué es?En el
|
T.Vj= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj= 150°C
|
5.55
4.35
4.35
|
MJ
MJ
|
|
关断 损耗 energía(Cada impulso)
Energía de apagado pérdida por pulso
|
¿ Qué es?No
|
T.Vj= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj= 150°C
|
12.10
12.35
12.35
|
MJ
MJ
|
|
结-外 热阻
La energía térmica Resistencia, juEn la actualidad, el caso
|
RelJC
|
Por MOSFET / Cada uno. MOSFEn el caso de las
|
0.12
|
En el caso de los vehículos de motor
|
|
temperatura de trabajo
Temperatura yel cambio Condiciones
|
T.Vjop
|
|
-40 años.150
|
°C
|
|
Diodo- ¿ Qué pasa?
El número máximo Valores de las acciones/ máximo定值
|
|
Punto de trabajo
|
El símbolo
|
Condiciones
|
Valor
|
Unidades
|
|
continua corriente directa corriente eléctrica
Diodo continuo paraEn el barrio corriente
|
Yo...F: el precio
|
V.GS = -5 V, T.C. Las = 25 ̊C
|
400
|
A. No
|
|
PersonajeLos valores de/ El valor de la característica
|
|
Punto de trabajo
|
El símbolo
|
Condiciones
|
- ¿Qué es eso? Es un tipo. - ¿Qué quieres decir?
|
Unidades
|
|
tensión eléctrica de dirección
Válvula de carga
|
V.- ¿ Qué?
|
Yo...F: el precioEl valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:GSEl valor de las emisiones de CO2
|
T.Vj= 25°C T.Vj= 150°C
|
1.60
2.00
|
1.80
|
V.
V.
|
|
结-外 热阻
La energía térmica Resistencia, juEn la actualidad, el caso
|
RelJC
|
Por diodo/ Cada uno de los tubos
|
0.13
|
En el caso de los vehículos de motor
|
|
temperatura de trabajo
Temperatura yel cambio Condiciones
|
T.Vjop
|
|
-40 años. 150
|
°C
|
|
Módulo/ 模块
|
|
Punto de trabajo
|
El símbolo
|
Condiciones
|
Valor
|
Unidades
|
|
绝缘 prueba de presión eléctrica
El aislamientotensión de ensayo
|
V.Las condiciones de los productos
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
2.5
|
el kV
|
|
模块基板材料 (Material de base de módulos)
Materiales de módulo base de las placas
|
|
|
Cu
|
|
|
内部绝缘 (en inglés)
En el ámbito interno aislamiento
|
|
基本绝缘 (en inglés)(clase 1, Yo...El Consejo Sección 61140)
Las condiciones básicas aislamiento (clase 1, El IEC Sección 61140)
|
- ¿ Qué?2¿ Qué?3
|
|
|
爬电 distancia
Desagradableel tiempo
|
|
¿Por qué?-散热片/ terminal to el disipador
¿Por qué?-¿Por qué?/terminales a lasel mineral
|
29.0
23.0
|
En el caso de los
|
|
电气间隙 (espacio eléctrico)
Acceso
|
|
¿Por qué?-散热片/ terminal to el disipador
¿Por qué?-¿Por qué?/terminales a lasel mineral
|
23.0
11.0
|
En el caso de los
|
|
Indice de huellas eléctricas
Seguimiento comparativo índice
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Punto de trabajo
|
El símbolo
|
Condiciones
|
- ¿Qué es eso?
|
Es un tipo.
|
- ¿Qué quieres decir?
|
Unidades
|
|
杂散电感, módulo
No se mueve. inductancia módulo
|
- ¿ Qué?SCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
módulo de conducción de resistencia eléctrica,¿Por qué?- chip
Módulo el plomo Resistencia, terminales - el chip
|
RCC+EE
|
T.C. Las= 25°C
|
|
0.465
|
|
mΩ
|
|
temperatura de almacenamiento
Tiempo de almacenamientoPeraturación
|
T.el
|
|
-40 años.
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭矩 el torque de instalación del módulo
Torsión de montajeque para módulo el montaje
|
M5
|
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
端子 连接 torsión
Conexión de terminalesn par de trabajo
|
M6
|
|
3.00
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Peso
Peso
|
G.
|
|
|
300
|
|
G
|
MOSFETO MOSFETO
Característica de salida MOSFET (típica) Característica de salida MOSFET (típica)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
La temperatura de la fuente de calor es igual a 25 °C.
Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia (típica) Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia (típica)
Investigación y desarrolloHijo(P.U.) = f (T)Vj) RDSon=f(ID.S.)
Yo...D.S.El valor de las emisiones de CO2GSEl valor de las emisiones de CO2GSEl valor de las emisiones
Fuente de drenaje en resistencia (típica) Voltado umbral (típica)
Investigación y desarrolloHijo=f(TVj) VD.O. (s)=f(TVj)
Yo...D.S.El valor de las emisiones de CO2D.S.= VGSYo...D.S.Se aplicará el método siguiente:
MOSFET
Característica de transferencia MOSFET (típica) Característica de transferencia del diodo (típica)
Yo...D.S.=f (V)(ES)Yo...D.S.=f (V)D.S.)
V.D.S.El valor de las emisiones de CO2Vj= 25°C
Característica del diodo hacia adelante (característica típica) de 3rdCuadrante (típico)
Yo...D.S.=f (V)D.S.) ID.S.=f (V)D.S.)
T.Vj= 150°C TVj= 25°C
MOSFET
Característica de 3rdCuadrante (típico) MOSFET (típico) de carga de puerta
Yo...D.S.=f (V)D.S.) VGS=f ((QG)
T.Vj= 150°C VD.S.= 800 V, ID.S.= 120A, TVj= 25°C
MOSFETO MOSFETO
Característica de capacidad MOSFET ((típico) Pérdidas de conmutación MOSFET (típico)
C=f(VD.S.) E=f (I)C. Las)
V.GS=0V, TVj= 25 ° C, f = 1 MHz VGEEl valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:G.= 2,5 Ω, VSección 2El valor de las emisiones de CO2
MOSFETO MOSFETO
Pérdidas de conmutación MOSFET (típica) Impedancia térmica transitoria MOSFET
E=f (RG) ZelJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Diodo de impedancia térmica transitoria
ZtHJC=f (t)
El módulo de medio puente "1200V 300A SiC MOSFET" integra dos transistores de efecto de campo de carburo de silicio y óxido metálico semiconductor (SiC MOSFET) en una configuración de medio puente.Diseñados para aplicaciones de alta potencia, proporciona un control preciso del voltaje (1200 V) y de la corriente (300 A), con ventajas como una mayor eficiencia y rendimiento en entornos industriales.El enfriamiento eficaz es crucial para un funcionamiento confiable, y las especificaciones detalladas se pueden encontrar en la ficha de datos del fabricante.
Circuito Diagrama el título
Paquete las líneas generales
En el caso de los
¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!
