Detalles del producto
Número de modelo: SPS120MB12G6S
Condiciones de pago y envío
Configuración: |
No casado |
Actual - colector (Ic) (máximo): |
Las demás: |
Actual - colector pulsado (Icm): |
400A |
Tipo del módulo: |
IGBT |
Tipo de montaje: |
Montura del chasis |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
Módulo |
Tipo de paquete: |
62 mm |
Potencia - máximo: |
600 W |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
62 mm |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: |
2.5V @ 15V, 100A |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): |
Las demás: |
Configuración: |
No casado |
Actual - colector (Ic) (máximo): |
Las demás: |
Actual - colector pulsado (Icm): |
400A |
Tipo del módulo: |
IGBT |
Tipo de montaje: |
Montura del chasis |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
Módulo |
Tipo de paquete: |
62 mm |
Potencia - máximo: |
600 W |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
62 mm |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: |
2.5V @ 15V, 100A |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): |
Las demás: |
El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calculará en función de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles.
Las demás: Las demás: Seco MOSFET La mitad Puente Módulo
Características:
Típico Aplicaciones:
MOSFET
El número máximo Valores de las acciones/ El valor máximo |
|||||||
Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidades |
|||
漏极-源极 tensión eléctrica Voltado de la fuente de drenaje |
VDSS |
Tvj = 25°C |
1200 |
V. |
|||
flujo eléctrico de escape continuo Continuidad D.C. corriente de drenaje |
Identificación |
VGSEl valor de las emisiones de dióxido de carbonoC. Las= 25°C, TVjmax = 175°C VGSEl valor de las emisiones de dióxido de carbonoC. Las= 85°C, TVjmax = 175°C |
180
120 |
A. No |
|||
脉冲漏极 corriente eléctrica Desagüe pulsado corriente |
Identificación pulso |
Ancho del pulso tplimitado Por elTVjmax |
480 |
A. No |
|||
pérdida total de potencia En total potencia la disipación |
Ptot |
TC= 25°C,T.Vjmax = 175°C |
576 |
No |
|||
El valor máximo de la tensión eléctrica Voltagem máxima de la fuente de la puerta |
VGSS |
-10/25 |
V. |
||||
Valores característicos/ El valor de la característica |
|||||||
Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
- ¿Qué es eso? Es un tipo. - ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
|||
漏极-源极通态 resistencia eléctrica Fuente de drenaje encendida la resistencia |
RDS (en inglés)( En el) |
Identificación= 120A,VGS=20V |
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C |
13.0 16.0 18.0 |
16.0 |
mΩ mΩ mΩ |
|
El valor de la tensión eléctrica Válvula de entrada |
VGS (h) |
ICEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.Sección 2= VGE, TVj=25°C ICEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.Sección 2= VGE, TVj = 150°C |
2.0 |
2.4 1.7 |
4.0 |
V. |
|
跨导
Transconductividad |
GFS |
VDS = 20 V, Yo...D.S. = 120 A, TVj=25°C VDS = 20 V, Yo...D.S. = 120 A, TVj = 150°C |
68.9 61.8 |
El S |
|||
- ¿Cuál es el problema? Puerta Carga |
Cuartel general |
VGE = 5V + 20V |
474 |
nC |
|||
内部 极电阻 (resistencia eléctrica interna) Puerta interna de las siguientes: |
RGint |
Tvj = 25°C |
2.2 |
Oh |
|||
Capacidad de entrada Capacidad de entrada |
- ¿Qué quieres? |
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:El aire acondicionado= 25MV, VSe aplican las siguientes medidas: |
8850 |
pF |
|||
Capacidad de salida Producción capacidad |
Coes |
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:El aire acondicionado= 25MV, VSe aplican las siguientes medidas: |
564 |
pF |
|||
Capacidad de transmisión inversa Capacidad de transferencia inversa |
El Cres |
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:El aire acondicionado= 25MV, VSe aplican las siguientes medidas: |
66 |
pF |
|||
零 电压 漏极 电流 零 电压 漏极 电流 El flujo eléctrico Voltagem de puerta cero Desagüe corriente |
El IDSS |
VDSEl valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:GS=0V, TVj=25°C |
300 |
MA. No |
|||
- ¿Qué quieres?-源极 escape de corriente Fuente de la puerta corriente de fuga |
El IGSS |
VDS=0V, V.GSEl valor de las emisiones de dióxido de carbonoVj=25°C |
100 |
nA |
|||
开通 延迟时间 el tiempo de apertura( carga eléctrica) Se enciende tiempo de demora, inductivo cargas |
Td( En el) |
Televisión= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj = 150°C |
10 8
8 |
n y n y n y |
|||
El tiempo aumenta.( carga eléctrica) Es hora de levantarse. inductivo cargas |
tr |
Televisión= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj = 150°C |
36 34
34 |
n y n y n y |
|||
关断延迟时间 (cuidado con el retraso)( carga eléctrica) Tiempo de retraso de apagado inductivo cargas |
Td(No) |
IdentificaciónEl valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:Las emisiones de dióxido de carbono VGS=-5/20V RGon = 3,3Ω |
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C |
128 140
140 |
n y n y n y |
||
Baja el tiempo.( carga eléctrica) Tiempo de otoño, inductivo cargas |
Tf |
RGoff = 3,3Ω ¿ Qué? = 56 nH
Inductivo Carga |
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C |
62 62
62 |
n y n y n y |
||
开通 pérdida de energía(Cada impulso) Se enciende energía pérdida por pulso |
Eón |
Televisión= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj = 150°C |
2.35 2.15 2.15 |
MJ MJ |
|||
关断 损耗 energía(Cada impulso) Energía de apagado pérdida por pulso |
¿Qué es eso? |
Televisión= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj = 150°C |
1.65 1.80 1.80 |
MJ MJ |
结-外 热阻 La energía térmica Resistencia, juEn la actualidad, el caso |
RthJC |
Por MOSFET / Cada uno. MOSFET |
0.23 |
En el caso de los vehículos de motor |
||
temperatura de trabajo Temperatura yel cambio Condiciones |
Trabajo de televisión |
-40 150 |
°C |
|||
Diodo- ¿ Qué pasa?
El número máximo Valores de las acciones/ valor máximo |
||||||
Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidades |
||
continua corriente directa corriente eléctrica Diodo continuo hacia adelante corriente |
Si |
VGS = -5 V, T.C. Las = 25 ̊C |
177 |
A. No |
||
Valores característicos/ El valor de la característica |
||||||
Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
- ¿Qué es eso? Es un tipo. - ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
||
tensión eléctrica de dirección Válvula de carga |
El VSD |
SiEl valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:GS=0V |
Televisión= 25°C T.Vj = 150°C |
1.45 1.90 |
1.80 |
V. V. |
结-外 热阻 La energía térmica Resistencia, juEn la actualidad, el caso |
RthJC |
Por diodo Cada uno de los tubos |
0.30 |
En el caso de los vehículos de motor |
||
temperatura de trabajo Temperatura yel cambio Condiciones |
Trabajo de televisión |
-40 años. 150 |
°C |
Módulo/ 模块 |
||||
Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidades |
绝缘 prueba de presión eléctrica Tensión de ensayo de aislamiento |
El VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
2.5 |
el kV |
模块基板材料 (Material de base de módulos) Materiales de módulo base de las placas |
Cu |
|||
内部绝缘 (en inglés) En el ámbito interno aislamiento |
基本绝缘 (en inglés)(clase 1, Yo...El Consejo Sección 61140) Las condiciones básicas aislamiento (clase 1, El IEC Sección 61140) |
Al2O3 |
||
爬电 distancia Distancia de desplazamiento |
¿Por qué?-散热片/ terminal to el disipador ¿Por qué?-¿Por qué?/terminales a terminales |
29.0 23.0 |
En el caso de los |
|
电气间隙 (espacio eléctrico) Acceso |
¿Por qué?-散热片/ terminal to el disipador ¿Por qué?-¿Por qué?/terminales a terminales |
23.0 11.0 |
En el caso de los |
|
Indice de huellas eléctricas Seguimiento comparativo índice |
CTI |
> 400 |
Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
- ¿Qué es eso? |
Es un tipo. |
- ¿Qué quieres decir? |
Unidades |
杂散电感, módulo No se mueve. inductancia módulo |
LsCE |
20 |
nH |
|||
módulo de conducción de resistencia eléctrica,¿Por qué?- chip Módulo el plomo Resistencia, terminales - el chip |
RCC+EE |
TC=25°C |
0.465 |
mΩ |
||
temperatura de almacenamiento
Temperatura de almacenamiento |
Tstg |
-40 años. |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭矩 el torque de instalación del módulo Torque de montaje para módulo el montaje |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
||
端子 连接 torsión Torque de conexión del terminal |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
||
Peso
Peso |
G. |
300 |
G |
MOSFETO MOSFETO
Característica de salida MOSFET (típica) Característica de salida MOSFET (típica)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
La temperatura de la fuente de calor es igual a 25 °C.
Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia (típica) Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia (típica)
RDSon ((P.U.)=f ((Tvj) RDSon=f ((IDS)
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
Fuente de drenaje en resistencia (típica) Voltado umbral (típica)
En el caso de los vehículos de motor, el número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.
El valor de los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero.
MOSFET
Característica de transferencia MOSFET (típica) Característica de transferencia del diodo (típica)
El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control.
VDS = 20V Tvj = 25°C
Característica del diodo hacia adelante (característica típica) de 3rdCuadrante (típico)
El número de unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control.
La temperatura de la fuente de calor es de 150 °C.
Característica de 3rdCuadrante (típico) MOSFET (típico) de carga de puerta
El número de unidades de la unidad de control de las emisiones de gases de efecto invernadero es el número de unidades de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
La temperatura de la corriente es la misma que la de la corriente eléctrica, pero no es igual a la de la corriente eléctrica.
MOSFET
Característica de capacidad MOSFET ((típica) Pérdidas de conmutación MOSFET (típica)
C=f (VDS) E=f (IC)
VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3.3 Ω, VCE=600V
MOSFETO MOSFETO
Pérdidas de conmutación MOSFET (típica) Impedancia térmica transitoria MOSFET
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Diodo de impedancia térmica transitoria
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El "Módulo de puente medio 1200V 120A SiC MOSFET" integra dos MOSFET de carburo de silicio en una configuración de puente medio.proporciona un control preciso de la tensión (1200V) y la corriente (120A)El enfriamiento eficaz es crucial para un funcionamiento fiable, y las especificaciones detalladas se pueden encontrar en la ficha de datos del fabricante.
Circuito Diagrama el título
Paquete las líneas generales