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Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Detalles del producto

Número de modelo: SPS120MB12G6S

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Módulo de potencia del MOSFET Sic 1200V

,

Modulo de potencia del MOSFET 120A Sic

,

Modulo de MOSFET Sic 120A

Configuración:
No casado
Actual - colector (Ic) (máximo):
Las demás:
Actual - colector pulsado (Icm):
400A
Tipo del módulo:
IGBT
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Módulo
Tipo de paquete:
62 mm
Potencia - máximo:
600 W
Paquete de dispositivos del proveedor:
62 mm
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.5V @ 15V, 100A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
Las demás:
Configuración:
No casado
Actual - colector (Ic) (máximo):
Las demás:
Actual - colector pulsado (Icm):
400A
Tipo del módulo:
IGBT
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Módulo
Tipo de paquete:
62 mm
Potencia - máximo:
600 W
Paquete de dispositivos del proveedor:
62 mm
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
2.5V @ 15V, 100A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
Las demás:
Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calculará en función de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles.

 

Las demás: Las demás: Seco MOSFET La mitad Puente Módulo

 

     Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 0

Características:

  • Aplicación de conmutación de alta frecuencia
  • Cero corriente de recuperación inversa del diodo
  • Corriente de cola de apagado cero del MOSFET
  • Pérdida muy baja
  • Fácil paralelo

Típico Aplicaciones:

  • Calentamiento por inducción
  • Inversores solares y eólicos
  • Conversores de corriente continua
  • Cargadores de bateríasMódulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 1

 

MOSFET

 

El número máximo Valores de las acciones/ El valor máximo

 

Punto de trabajo

 

El símbolo

 

Condiciones

 

Valor

 

Unidades

 

漏极-源极 tensión eléctrica

Voltado de la fuente de drenaje

 

VDSS

 

Tvj = 25°C

 

1200

 

V.

 

flujo eléctrico de escape continuo

Continuidad D.C. corriente de drenaje

 

Identificación

 

VGSEl valor de las emisiones de dióxido de carbonoC. Las= 25°C, TVjmax = 175°C

VGSEl valor de las emisiones de dióxido de carbonoC. Las= 85°C, TVjmax = 175°C

 

180

 

120

 

 

A. No

 

脉冲漏极 corriente eléctrica

Desagüe pulsado corriente

 

Identificación pulso

 

Ancho del pulso tplimitado Por elTVjmax

 

480

 

A. No

 

pérdida total de potencia

En total potencia la disipación

 

Ptot

 

TC= 25°C,T.Vjmax = 175°C

 

576

 

No

 

El valor máximo de la tensión eléctrica

Voltagem máxima de la fuente de la puerta

 

VGSS

 

 

-10/25

 

V.

 

Valores característicos/ El valor de la característica

 

Punto de trabajo

 

El símbolo

 

Condiciones

 

- ¿Qué es eso? Es un tipo. - ¿Qué quieres decir?

 

Unidades

 

漏极-源极通态 resistencia eléctrica

Fuente de drenaje encendida la resistencia

 

 

RDS (en inglés)( En el)

 

Identificación= 120A,VGS=20V

 

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

 

13.0

16.0 18.0

 

16.0

 

 

El valor de la tensión eléctrica

Válvula de entrada

 

 

VGS (h)

 

ICEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.Sección 2= VGE, TVj=25°C

ICEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.Sección 2= VGE, TVj = 150°C

 

2.0

 

2.4

1.7

 

4.0

 

V.

 

跨导

 

Transconductividad

 

GFS

 

VDS = 20 V, Yo...D.S. = 120 A, TVj=25°C

VDS = 20 V, Yo...D.S. = 120 A, TVj = 150°C

 

68.9

61.8

 

El S

 

- ¿Cuál es el problema?

Puerta Carga

 

Cuartel general

 

VGE = 5V + 20V

 

474

 

 

nC

 

内部 极电阻 (resistencia eléctrica interna)

Puerta interna de las siguientes:

 

RGint

 

Tvj = 25°C

 

2.2

 

 

Oh

 

Capacidad de entrada

Capacidad de entrada

 

- ¿Qué quieres?

 

f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:El aire acondicionado= 25MV, VSe aplican las siguientes medidas:

 

 

8850

 

pF

 

Capacidad de salida

Producción capacidad

 

 

Coes

 

f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:El aire acondicionado= 25MV, VSe aplican las siguientes medidas:

 

 

564

 

pF

 

Capacidad de transmisión inversa

Capacidad de transferencia inversa

 

 

El Cres

 

f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:El aire acondicionado= 25MV, VSe aplican las siguientes medidas:

 

 

66

 

pF

 

零 电压 漏极 电流 零 电压 漏极 电流 El flujo eléctrico

Voltagem de puerta cero Desagüe corriente

 

El IDSS

 

VDSEl valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:GS=0V, TVj=25°C

 

300

 

MA. No

 

- ¿Qué quieres?-源极 escape de corriente

Fuente de la puerta corriente de fuga

 

El IGSS

 

VDS=0V, V.GSEl valor de las emisiones de dióxido de carbonoVj=25°C

 

100

 

nA

 

开通 延迟时间 el tiempo de apertura( carga eléctrica)

Se enciende tiempo de demora, inductivo cargas

 

 

Td( En el)

 

Televisión= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj = 150°C

 

10

8

 

8

 

n y

n y

n y

 

El tiempo aumenta.( carga eléctrica)

Es hora de levantarse. inductivo cargas

 

tr

 

Televisión= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj = 150°C

 

36

34

 

34

 

n y

n y

n y

 

关断延迟时间 (cuidado con el retraso)( carga eléctrica)

Tiempo de retraso de apagado inductivo cargas

 

 

Td(No)

 

IdentificaciónEl valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:Las emisiones de dióxido de carbono

VGS=-5/20V

RGon = 3,3Ω

 

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

 

128

140

 

140

 

n y

n y

n y

 

Baja el tiempo.( carga eléctrica)

Tiempo de otoño, inductivo cargas

 

Tf

 

RGoff = 3,3Ω

¿ Qué? = 56 nH

 

Inductivo Carga

 

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

 

62

62

 

62

 

n y

n y

n y

 

开通 pérdida de energía(Cada impulso)

Se enciende energía pérdida por pulso

 

 

Eón

 

Televisión= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj = 150°C

 

2.35

2.15

2.15

 

MJ

MJ

 

关断 损耗 energía(Cada impulso)

Energía de apagado pérdida por pulso

 

¿Qué es eso?

 

Televisión= 25°C T.Vj= 125°C T.Vj = 150°C

 

1.65

1.80

1.80

 

MJ

MJ

 

 

结-外 热阻

La energía térmica Resistencia, juEn la actualidad, el caso

 

RthJC

 

Por MOSFET / Cada uno. MOSFET

 

0.23

 

En el caso de los vehículos de motor

 

temperatura de trabajo

Temperatura yel cambio Condiciones

 

 

Trabajo de televisión

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Diodo- ¿ Qué pasa?

 

El número máximo Valores de las acciones/ valor máximo

 

Punto de trabajo

 

El símbolo

 

Condiciones

 

Valor

 

Unidades

 

continua corriente directa corriente eléctrica

Diodo continuo hacia adelante corriente

 

 

Si

 

VGS = -5 V, T.C. Las = 25 ̊C

 

177

 

A. No

 

Valores característicos/ El valor de la característica

 

Punto de trabajo

 

El símbolo

 

Condiciones

 

- ¿Qué es eso? Es un tipo. - ¿Qué quieres decir?

 

Unidades

 

tensión eléctrica de dirección

Válvula de carga

 

 

El VSD

 

 

SiEl valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:GS=0V

 

Televisión= 25°C T.Vj = 150°C

 

 

1.45

1.90

 

 

1.80

 

V.

V.

 

结-外 热阻

La energía térmica Resistencia, juEn la actualidad, el caso

 

RthJC

 

Por diodo Cada uno de los tubos

 

0.30

 

En el caso de los vehículos de motor

 

temperatura de trabajo

Temperatura yel cambio Condiciones

 

Trabajo de televisión

 

 

-40 años. 150

 

°C

 

 

Módulo/ 模块

 

Punto de trabajo

 

El símbolo

 

Condiciones

 

Valor

 

Unidades

 

绝缘 prueba de presión eléctrica

Tensión de ensayo de aislamiento

 

El VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

el kV

 

模块基板材料 (Material de base de módulos)

Materiales de módulo base de las placas

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘 (en inglés)

En el ámbito interno aislamiento

 

 

基本绝缘 (en inglés)(clase 1, Yo...El Consejo Sección 61140)

Las condiciones básicas aislamiento (clase 1, El IEC Sección 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电 distancia

Distancia de desplazamiento

 

 

¿Por qué?-散热片/ terminal to el disipador

¿Por qué?-¿Por qué?/terminales a terminales

 

29.0

23.0

 

 

En el caso de los

 

电气间隙 (espacio eléctrico)

Acceso

 

 

¿Por qué?-散热片/ terminal to el disipador

¿Por qué?-¿Por qué?/terminales a terminales

 

23.0

11.0

 

En el caso de los

 

Indice de huellas eléctricas

Seguimiento comparativo índice

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Punto de trabajo

 

El símbolo

 

Condiciones

 

- ¿Qué es eso?

 

Es un tipo.

 

- ¿Qué quieres decir?

 

Unidades

 

杂散电感, módulo

No se mueve. inductancia módulo

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

módulo de conducción de resistencia eléctrica,¿Por qué?- chip

Módulo el plomo Resistencia, terminales - el chip

 

RCC+EE

 

TC=25°C

 

 

0.465

 

 

 

temperatura de almacenamiento

 

Temperatura de almacenamiento

 

Tstg

 

 

-40 años.

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩 el torque de instalación del módulo

Torque de montaje para módulo el montaje

 

M5

 

 

2.50

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子 连接 torsión

Torque de conexión del terminal

 

M6

 

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G.

   

 

300

 

 

G

 

 

MOSFETO MOSFETO

Característica de salida MOSFET (típica) Característica de salida MOSFET (típica)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

La temperatura de la fuente de calor es igual a 25 °C.

 

 

  Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 2

 

Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia (típica) Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia (típica)

RDSon ((P.U.)=f ((Tvj) RDSon=f ((IDS)

El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.

 

 

    Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 3

 

 

Fuente de drenaje en resistencia (típica) Voltado umbral (típica)

En el caso de los vehículos de motor, el número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.

El valor de los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero.

 

    Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 4

 

MOSFET

Característica de transferencia MOSFET (típica) Característica de transferencia del diodo (típica)

El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control.

VDS = 20V Tvj = 25°C

  Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 5

   

 

Característica del diodo hacia adelante (característica típica) de 3rdCuadrante (típico)

El número de unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidades de control.

La temperatura de la fuente de calor es de 150 °C.

   Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 6

Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 7

Característica de 3rdCuadrante (típico) MOSFET (típico) de carga de puerta

El número de unidades de la unidad de control de las emisiones de gases de efecto invernadero es el número de unidades de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

La temperatura de la corriente es la misma que la de la corriente eléctrica, pero no es igual a la de la corriente eléctrica.

 

Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 8

MOSFET

Característica de capacidad MOSFET ((típica) Pérdidas de conmutación MOSFET (típica)

C=f (VDS) E=f (IC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3.3 Ω, VCE=600V

    Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 9

Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 10

  

MOSFETO MOSFETO

Pérdidas de conmutación MOSFET (típica) Impedancia térmica transitoria MOSFET

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V

 

 

      Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 11

 

Diodo de impedancia térmica transitoria

Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

 

 

 Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 12

 

 

 

El "Módulo de puente medio 1200V 120A SiC MOSFET" integra dos MOSFET de carburo de silicio en una configuración de puente medio.proporciona un control preciso de la tensión (1200V) y la corriente (120A)El enfriamiento eficaz es crucial para un funcionamiento fiable, y las especificaciones detalladas se pueden encontrar en la ficha de datos del fabricante.

 

Circuito Diagrama el título 

     Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 13


 

 

 


Paquete las líneas generales 

 

 

     Módulo de alimentación del MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 14