Resaltar:
Bajas pérdidas de conmutación IGBT discreto de Infineon
, Modulo de transistores IGBT OEM
, Modulo de transistor IGBT con bajas pérdidas de conmutación
Capacidad del colector emisor: |
170 pF |
Configuración: |
No casado |
Colector de corriente continuo: |
50 A |
Colector de corriente pulsado: |
200 A |
Carga de la puerta: |
80 años después de Cristo |
Estilo de montaje: |
A través del agujero |
Rango de temperatura de funcionamiento: |
-55 a 150 grados Celsius |
Tipo de paquete: |
TO-247 |
Paquete/caso: |
TO-247-3 |
Tiempo de recuperación reversa: |
50 ns |
Polaridad del transistor: |
N-canal |
Disminución del colector de voltaje y del emisor: |
Las demás: |
Se aplicará el método siguiente:: |
2,2 V |
El límite máximo para el emisor de la puerta de voltaje: |
5 V |
Nombre del producto: |
Modulo de transistores igbt, módulo sic igbt, transistores igbt |
Bajas pérdidas de conmutación Infineon módulo de transistor IGBT discreto OEM
La energía de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga.0
Las demás: 40A IGBT Discreto
El número de unidades de carga de la unidad de carga
En general Descripción
SOLIDPOWER IGBT Discrete proporciona bajas pérdidas de conmutación, así como una alta capacidad RBSOA. Están diseñados para aplicaciones como UPS industriales, cargadores, almacenamiento de energía,Inversor de cuerda solar de tres niveles, soldadura, etc.
Características:
▪ Tecnología de parada de campo de trinchera de 1200 V
▪ Diodos de ruedas libres de SiC SBD
▪ Bajas pérdidas al cambiar
▪ Baja tasa de entrada
Típico Aplicaciones:
▪ Unidad de alta tensión industrial
▪ Cargador
▪ Almacenamiento de energía
▪ Inversor
▪ Soldadura
IGBT IGBT
Característica de salida IGBT Característica de salida IGBT
IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C
Freno de corriente IGBT
Característica de salida FRD Voltado de saturación del colector-emittente IGBT
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al valor de las emisiones de CO2 de los Estados miembros, el valor de las emisiones de CO2 de los Estados miembros será inferior al valor de las emisiones de CO2 de los Estados miembros.
Freno de corriente IGBT
Voltado de saturación del colector-emitente FRD Voltado de umbral del emisor-puerta IGBT
VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)
Freno de corriente IGBT
Característica de salida del colector de corriente de FRD IGBT
IF=f ((VF) IC=f ((TC)
VGE≥15V,Tvj≤175°C
Características de carga de la puerta Características de la capacidad
VGE ((th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ
VGE = 15V, IC = 40A
IGBT IGBT
Tiempo de cambio IGBT Tiempo de cambio IGBT
El uso de las sustancias químicas en el tratamiento de las sustancias químicas no debe ser considerado como un riesgo de contaminación.
IGBT IGBT
Tiempo de cambio IGBT Tiempo de cambio IGBT
La cantidad de agua utilizada en el ensayo debe ser igual o superior a la cantidad de agua utilizada en el ensayo.
VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A
IGBT IGBT
Tiempo de cambio IGBT Pérdidas de cambio IGBT
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT IGBT
Pérdidas de cambio IGBT Pérdidas de cambio IGBT
E=f (IC) E=f (IC)
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=25°C VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=175°C
IGBT IGBT
Pérdidas de cambio IGBT Pérdidas de cambio IGBT
E=f (RG) E=f (RG)
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=25°C VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=175°C
IGBT IGBT
Pérdidas de cambio IGBT Pérdidas de cambio IGBT
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
VGE = 15V, RG = 12Ω, IC = 40A VGE = 15V, RG = 12Ω, IC = 40A
IGBT
Impedancia térmica transitoria IGBT
TC=25°C, VGE=15V, Tvj≤175°C ZthJA=f (t)
Este es un transistor bipolar de puerta aislada discreto (IGBT) con una tensión nominal de 1200V y una corriente nominal de 40A.Los IGBT se utilizan comúnmente en aplicaciones electrónicas de potencia para cambiar altos voltajes y corrientesLas especificaciones indican que este IGBT en particular puede manejar un voltaje máximo de 1200V y una corriente máxima de 40A.Los circuitos de accionamiento adecuados y las consideraciones de disipación de calor son importantes para garantizar la fiabilidad y el rendimiento del IGBT..
Circuito Diagrama el título
Paquete las líneas generales
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